四氟化碳的密度比較高,可以填滿地面空間范圍,在不通風(fēng)的地方會(huì)導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼,干燥,通風(fēng)的庫房內(nèi),嚴(yán)禁曝曬,遠(yuǎn)離熱源。它在大氣中的壽命約為50,000年,全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似,但四氟化碳不會(huì)破壞臭氧層。在900℃時(shí),不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng),僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時(shí),會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。





四氟化碳也一樣,比如我們公司生產(chǎn)的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態(tài)的,在正常大氣壓下就是氣態(tài)的,四氟化碳是有一定毒性的應(yīng)該不能用作呼吸。反應(yīng)放熱后,氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng),通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼猓狗磻?yīng)繼續(xù)進(jìn)行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。吸入四氟化碳的后果與濃度有關(guān),包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。
高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域,可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等離子蝕刻氣體。此外,高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝,也用作激光氣體,用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。

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